수율 탐정: 직접 추리하기
지금까지는 사건 YB-12를 따라가며 남이 푼 길을 읽었다. 이 장에서는 새 사건을 직접 푼다. 수율이 떨어진 로트와 맵 한 장이 주어진다. 조사에는 값이 붙고 예산은 한정되어 있다. 어떤 데이터를 먼저 볼지 고르고, 범인 공정과 그 범위를 지목한다.
- 맵, 통계, 검사, 이력 중 어떤 조사가 어떤 가설을 가르는지 판단하고 순서를 정한다.
- 무늬의 기준(웨이퍼·샷·웨이퍼마다 다름·없음)과 슬롯 분포로 공정 모듈과 범위를 좁힌다.
- 겹친 원인, 약한 무늬, 테스트가 만든 가짜 무늬를 구분한다.
- 틀린 지목과 불필요한 조사가 모두 비용이라는 점을 점수로 체감한다.
규칙
수율 분석가의 일은 데이터를 전부 모으는 것이 아니다. 로트는 계속 흘러가고, 검사 장비의 시간은 한정되어 있으며, 장비를 세워 점검하면 그동안 생산이 멈춘다. 그래서 실제 분석은 가설을 가장 많이 줄여 주는 조사부터 한다. 이 게임은 그 선택을 연습하게 만든 것이다.
- 사건. YB-12와 같은 제품이다. 다이 6.5 × 8 mm, 웨이퍼당 1,228개, 샷은 다이 4 × 4개, 로트 25장, 평소 수율 약 88%. 사건 번호가 같으면 같은 사건이 다시 만들어진다.
- 난이도. 쉬움은 원인 하나에 무늬가 진하다. 보통은 원인 하나지만 무늬가 약하고, 처음 받는 맵이 멀쩡한 웨이퍼일 수 있다. 어려움은 원인이 둘 겹치거나 하나다. 몇 개인지는 알려 주지 않는다.
- 조사. 버튼마다 비용이 적혀 있다. 결과는 맵 화면에 뜨고 단서 로그에 쌓인다. 로그의 카드를 누르면 그 화면을 다시 볼 수 있다(무료). 광학 검사, 전압 대비 검사, 리뷰 SEM은 지금 보고 있는 웨이퍼 한 장에 대해 한다. 어느 웨이퍼를 검사할지도 추리의 일부다.
- 지목. 공정 모듈과 범위를 고른다. 범위는 전 웨이퍼, 특정 챔버(슬롯이 2장 또는 3장 주기로 갈린다), 어느 시점 이후(로트 뒤쪽만), 간헐적(몇 장만) 넷 중 하나다. 원인이 둘이라고 판단하면 두 번째 줄도 채운다. 원인의 수까지 맞아야 정답이다.
- 채점. 점수 = 100 − 60 × (쓴 예산 ÷ 전체 예산) − 30 × (틀린 지목 수). 70점 이상 S, 55점 이상 A, 40점 이상 B, 그 아래 C. 두 번 틀리면 미해결이다.
사건 수사실
처음에는 로트 수율과 맵 한 장뿐이다. 맵을 보고 떠오르는 가설을 먼저 적어 본 뒤 조사를 고르면 예산이 덜 든다.
수율 수사실
조사 (오른쪽 숫자는 비용)
지목
단서 로그 (누르면 그 화면을 다시 본다)
용의자 대조표
무늬를 읽는 첫 질문은 "무엇을 기준으로 반복되는가"이다. 웨이퍼를 기준으로 같은 자리에 나오면 웨이퍼 전체를 한꺼번에 다루는 공정 장비, 샷을 기준으로 반복되면 노광, 웨이퍼마다 자리가 다르면 그때그때 일어난 사고다. 무늬가 아예 없는데 수율만 낮으면 결함 밀도 자체가 올랐다고 본다.
| 무늬 | 이 게임의 원인 | 모듈 | 빈 | 인라인 결함 | 결정적 조사 |
|---|---|---|---|---|---|
| 가장자리 고리 | 식각 챔버 가장자리 식각률 이상 | 식각 | 4 | 단선(광학) | 반지름 프로파일 |
| 도넛 | 정전척 온도 구역 이상 | 식각 | 4 | 미개구 콘택(전압 대비에서만) | 반지름 프로파일 + 전압 대비 또는 빈 |
| 도넛 | CMP 헤드 압력 구역 이상 | CMP | 3 | 피트(광학) | 반지름 프로파일 + 광학 또는 빈 |
| 중심 | 증착 막 두께의 중심 편차 | 증착 | 7 | 없음 | 반지름 프로파일 |
| 한쪽 치우침 | 열처리 온도 구배 | 이온주입·열처리 | 7 | 없음 | 각도 프로파일(1차 성분) |
| 세 점 | 리프트 핀 접촉점의 온도 차 | 이온주입·열처리 | 5 | 없음 | 각도 프로파일(3차 성분) |
| 소용돌이 | 스핀 세정의 약액 잔류 | 세정·도포 | 3 | 잔류물(광학) | 스택 맵 + 광학 |
| 같은 자리의 직선 | 반송 로봇이 긁은 자국 | 반송 | 2 | 스크래치(광학) | 스택 맵 |
| 웨이퍼마다 다른 호 | CMP 패드의 굵은 입자 | CMP | 2 | 스크래치(광학) | 갤러리 · 개별 맵 |
| 웨이퍼마다 다른 덩어리 | 증착 챔버 벽의 플레이크 낙하 | 증착 | 4 | 파티클(광학) | 갤러리 · 개별 맵 |
| 샷의 한 자리 | 레티클 결함 · 헤이즈 | 노광·레티클 | 8 | 브리지(광학) | 샷 접기 |
| 샷의 한 줄 | 스캐너 필드 초점 기울기 | 노광·레티클 | 5 | 없음 | 샷 접기 |
| 격자(샷과 주기가 다름) | 프로브 카드의 한 사이트 접촉 불량 | 테스트 | 2 | 없음 | 재테스트 |
| 없음 | 결함 밀도 상승 | 베이스라인 | 전체 | 모든 종류가 고르게 증가 | 광학 결함 수 |
빈 번호는 8장의 것이다(2 연속성, 3 누설, 4 기능·스캔, 5 속도, 7 파라메트릭, 8 전원 단락). 도넛이 두 줄인 점을 눈여겨본다. 모양만으로는 식각과 CMP를 가를 수 없고, 빈이나 검사 결과가 더해져야 갈린다. YB-12에서 전압 대비 검사가 한 역할과 같다(6장, 12장).
수사 기법 요약
조사마다 답해 주는 질문이 다르다. 표의 '못 주는 것'을 함께 읽는다. 비싼 조사가 더 많은 것을 알려 주는 것은 아니다.
| 조사 | 비용 | 주는 단서 | 못 주는 것 | 관련 장 |
|---|---|---|---|---|
| 웨이퍼 맵 한 장 | 1 | 그 웨이퍼의 무늬, 선·덩어리의 국소 탐색 | 다른 웨이퍼도 같은지 | 9장 |
| 25장 갤러리 | 3 | 웨이퍼마다 다른 무늬(스크래치, 군집)가 어느 슬롯에 있는지. 이후 모든 맵을 무료로 본다 | 약한 장비 무늬 | 9장 |
| 빈별 맵 | 1 | 평소보다 늘어난 빈. 겹친 무늬를 가른다 | 어느 웨이퍼인지 | 8장 |
| 25장 스택 맵 | 2 | 웨이퍼 기준의 약한 무늬, 같은 자리의 선 | 웨이퍼마다 다른 무늬(흐려진다) | 10장 |
| 슬롯별 수율 | 1 | 범위: 전부, 홀짝, 3장 주기, 뒤쪽, 몇 장 | 무늬의 모양 | 10장 |
| 반지름·각도 프로파일 | 1 | 가장자리·중심·도넛의 반지름, 한쪽 치우침, 세 점 | 샷 무늬, 국소 무늬 | 10장 |
| 샷 접기 | 1 | 샷 안 자리별 불량률. 반복 결함, 필드 한쪽 | 웨이퍼 기준 무늬 | 11장 |
| 이웃 쌍 통계 | 1 | 무늬가 있는지 없는지, 자동 분류의 의견 | 원인 | 10장 |
| 인라인 광학 결함 맵 | 3 | 결함 수와 종류, 좌표의 분포 | 겉모양이 정상인 전기적 결함, 막 두께·초점 문제 | 5장 |
| 전자빔 전압 대비 | 5 | 끊긴 콘택의 분포 | 콘택 층 밖의 문제 전부 | 6장 |
| 리뷰 SEM | 3 | 결함의 모양(같은 자리·같은 모양인지, 긁힘인지 입자인지) | 웨이퍼 전체의 분포 | 7장 |
| 로트 이력 공통성 | 2 | 수율이 갈리는 공정 단계와 장비 | 전 웨이퍼가 같은 장비를 지난 경우. 함께 움직이는 단계의 구분 | 13장 |
| 재테스트 | 3 | 불량이 웨이퍼에 있는지 테스트 장비에 있는지 | 진짜 불량의 원인 | 8장 |
범위를 정하는 법
범위는 슬롯별 수율의 모양으로 정한다. 챔버가 둘인 장비는 웨이퍼를 번갈아 넣으므로 홀짝으로 갈리고, 셋이면 3장 주기가 된다. 로트 도중에 무엇인가 바뀌었다면 그 슬롯부터 계단처럼 떨어진다. 몇 장만 낮으면 간헐적인 사고다.
웨이퍼 한 장의 수율은 무작위 결함만으로도 흔들린다. 다이 \(n\)개, 불량률 \(p\)이면 수율의 표준편차는 다음과 같다.
따라서 웨이퍼 한 장이 평소보다 1~2%p 낮은 것은 단서가 아니다. 3%p 넘게 낮거나, 여러 장의 평균이 함께 낮을 때 의미가 있다. 12장 평균의 표준편차는 약 0.27%p이므로 홀짝 집단 사이의 2%p 차이는 충분히 유의하다.
흔한 함정
멀쩡한 웨이퍼를 검사한다
챔버 하나의 문제라면 로트의 절반은 정상이다. 처음 받은 맵이 그 절반에 속할 수 있다. 비용 3~5짜리 검사를 정상 웨이퍼에 쓰면 "이상 없음"이라는 결과만 얻는다. 검사 전에 슬롯별 수율이나 갤러리로 어느 웨이퍼가 나쁜지부터 정한다. 반대로 "이 웨이퍼에는 없다"는 결과도 범위에 대한 단서이기는 하다.
스택이 지워 버리는 무늬
스택은 같은 자리에 반복되는 무늬를 진하게 하고 나머지를 평균으로 뭉갠다(10장). 웨이퍼마다 자리가 다른 호 스크래치나 군집은 25장을 겹치면 사라진다. 스택이 깨끗하다고 무늬가 없다고 결론 내리면 안 된다. 반대로 스택에서 또렷한 직선이 나오면 그 선은 웨이퍼마다 같은 자리에 있다는 뜻이고, 같은 자리를 반복해서 긁는 것은 연마가 아니라 기계 장치다.
공통성 표를 그대로 믿는다
식각이 챔버 A·B를 번갈아 쓰고 CMP도 헤드 1·2를 번갈아 쓴다면, 식각 챔버 B를 지난 웨이퍼는 전부 같은 CMP 헤드를 지난다. 공통성 표에서는 두 단계가 똑같이 유의하게 나온다(13장의 공선성). 표는 "수율이 슬롯에 따라 갈린다"는 것까지만 말해 준다. 어느 단계인지는 무늬의 모양과 결함의 종류가 정한다.
격자 무늬를 모두 레티클 탓으로 돌린다
프로브 카드가 여러 다이를 한꺼번에 찍는다면, 카드의 한 사이트가 나쁠 때 불량은 터치다운 주기로 반복된다. 이 게임의 카드는 가로 4 × 세로 2 사이트다. 샷(4 × 4)으로 접으면 한 자리가 아니라 세로로 두 칸 떨어진 두 자리에 쌓인다. 빈은 접촉 불량에 해당하는 연속성(빈 2)이고, 인라인 검사에는 아무것도 없다. 확인은 재테스트다. 다른 카드로 다시 재서 합격하면 웨이퍼는 처음부터 멀쩡했다(8장).
원인을 하나로 단정한다
무늬 하나를 찾으면 수사를 끝내고 싶어진다. 찾은 무늬가 수율 손실 전체를 설명하는지 계산해 본다. 샷 16자리 중 한 자리가 전멸해도 손실은 약 6%p다. 로트가 12%p 떨어졌다면 나머지 절반을 설명할 다른 원인이 있다. 빈별 맵에서 평소보다 늘어난 빈이 둘이면 원인도 둘일 가능성이 높다(9장).
약한 무늬와 문턱값
로그의 판정 문구는 계산 결과에 문턱값을 건 것이다. 보통 난이도에서는 무늬의 세기가 절반 가까이 줄어 한 장의 맵에서는 자동 분류가 "무늬 없음"이라고 답하는 일이 많다. 이때 25장을 모은 통계(스택, 프로파일, 샷 접기)는 여전히 또렷하다. 잡음은 \(\sqrt{N}\)으로 줄고 신호는 그대로이기 때문이다. 한 장에서 안 보이면 포기하지 말고 장수를 늘린다.
YB-12 이후
YB-12는 레티클 세정과 정전척 교체로 종결되었고 검증 로트의 수율은 약 88%로 돌아왔다. 그 사건이 남긴 것은 수리 내역보다 순서다. 수율에서 무작위와 계통을 가르고, 빈으로 무늬를 나누고, 스택과 샷 접기로 기준을 정하고, 슬롯으로 범위를 좁히고, 검사와 이력으로 공정을 확정했다. 수사실의 사건들은 YB-12가 아니다. 원인도 조합도 매번 다르다. 같은 순서가 통하는지 직접 확인한다.
핵심 정리
- 조사는 가설을 줄이기 위해 한다. 남은 가설 둘을 가르지 못하는 조사는 비싸도 쓸모가 없다.
- 무늬의 기준이 첫 갈림길이다. 웨이퍼 기준은 공정 장비, 샷 기준은 노광, 웨이퍼마다 다른 자리는 사고, 무늬 없음은 결함 밀도다.
- 범위는 슬롯별 수율로 정한다. 홀짝과 3장 주기는 챔버, 계단은 시점, 규칙 없는 몇 장은 간헐적 사고다.
- 스택은 장비 무늬를 드러내고 웨이퍼마다 다른 무늬를 지운다. 두 종류를 함께 보려면 스택과 갤러리가 모두 필요하다.
- 검사는 나쁜 웨이퍼에 해야 한다. 광학은 겉모양이 다른 결함만, 전압 대비는 전기적으로 끊긴 콘택만 본다.
- 공통성 표는 함께 움직이는 단계를 가르지 못한다. 재테스트로 회복되는 불량은 웨이퍼가 아니라 테스트 장비의 것이다.
- 찾은 원인이 손실 전체를 설명하는지 계산한다. 모자라면 원인이 더 있다.
확인 퀴즈
25장 스택 맵에는 아무 무늬가 없는데, 갤러리에서는 다섯 장에 길쭉한 불량 띠가 각각 다른 자리에 보인다. 가장 알맞은 해석은?
샷 접기에서 16자리 중 두 자리(같은 열, 두 행 떨어진 곳)의 불량률이 높다. 빈은 연속성이고 광학 검사에는 이상이 없다. 다음에 할 조사로 가장 알맞은 것은?
공통성 표에서 식각(챔버 A/B 교대)과 CMP(헤드 1/2 교대)가 똑같이 유의하게 나왔다. 무늬는 반지름 약 90 mm의 도넛이다. 둘을 가르는 데 쓸 수 있는 것은?
웨이퍼 한 장의 수율이 평소 88%보다 1.5%p 낮은 86.5%다. 다이는 1,228개다. 이 웨이퍼에 대한 판단으로 알맞은 것은?